(08-16-2017, 10:59 AM)AZP a écrit : Ces mesures sont avec des transistors "parfaitement appairés" j'imagine ? (simu idéale).
Ca donne quoi si tu les dé-paire volontairement un peu (pour rapprocher la réalité) ?
J'ai refais quelques simulations en essayant de changer les références de transistors dans les paires. Le circuit est peu sensible. Normal car la partie gauche du circuit avec un potentiel fixe donne déjà de très bon résultat (c'était le circuit initial). La partie droite c'est pour la gestion thermique, l'offset de sortie et le petit plus de correction par auto-compensation.
Les modifs réalisées pour le test :
- Paire de NPN du bas : BC550B (Beta de 300) et BC560C (beta de 560)
- Paire PNP du haut : BC560C et BC557C
- Paire de JFET : 2SK241GR et 2SK241Y (modèles différents)
Résultat :
- Disto : H2 passe 0.0005% à 0.001%, H3 quasi inchangé,
- Bande passante : identique
- Slew rate : toujours 20ns, même forme sans accident
- réplication points de polarisation : même superposition à un petit décalage près.
- Distorsion thermique : même neutralisation
- offset : +150mV
la seule vraie victime c'est l'offset. Mais justement l'appairage sera fait sur ce critère.
Autre simulation avec un FET totalement différents BF247C et 2SK241GR. H2 encore plus élevée (0.004%) et offset de 0.7V, mais là on est vraiment dans un cas bien pire que la réalité.
Pour moi c'est tout bon ! On passe au test du circuit en mode amplification de tension à gain >1 et ensuite l'alim.
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