03-21-2020, 04:14 PM
A propos du tri... C'est bien de le faire mais finalement c'est loin d'être suffisant, ce qui compte c'est que les caractéristiques ne bougent pas dans le temps. C'est le gros problème des tubes mais aussi le problèmes des principaux composants modernes : condensateurs en particulier, mais aussi résistances et transistors.
Une petite anecdote : en 2015 je bossais sur un préampli pour un membre du forum bleu. Un truc hypersimple basé sur quelques FET en polarisation automatique. L'offset de sortie dépendait à 100% du bon appairage des FET (des 2SK241). Après avoir passé des heures à faire et refaire des appairages de FET j'en sors quelques paires couplées à 1mV près vérifiées plusieurs fois. Je monte les transistors et pour les coupler thermiquement je glisse chaque paire sur la carte dans dans la gaine thermo. Je contrôle tout : 0.5mV d'offset. Ensuite je chauffe au souffleur d'air chaud modérément pour que la gaine thermo se ressert et mette bien chaque paire en contact. C'était mignon tout plein et j'étais content du résultat mécanique. Je fais une mesure final l'offset : 30mV ! En balancant l'air chaud (entre 100 et 150°)pendant environ 10 secondes, j'ai modifié complètement les caractéristiques des transistors.
Une petite anecdote : en 2015 je bossais sur un préampli pour un membre du forum bleu. Un truc hypersimple basé sur quelques FET en polarisation automatique. L'offset de sortie dépendait à 100% du bon appairage des FET (des 2SK241). Après avoir passé des heures à faire et refaire des appairages de FET j'en sors quelques paires couplées à 1mV près vérifiées plusieurs fois. Je monte les transistors et pour les coupler thermiquement je glisse chaque paire sur la carte dans dans la gaine thermo. Je contrôle tout : 0.5mV d'offset. Ensuite je chauffe au souffleur d'air chaud modérément pour que la gaine thermo se ressert et mette bien chaque paire en contact. C'était mignon tout plein et j'étais content du résultat mécanique. Je fais une mesure final l'offset : 30mV ! En balancant l'air chaud (entre 100 et 150°)pendant environ 10 secondes, j'ai modifié complètement les caractéristiques des transistors.
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